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Le nouveau SSD grand public PCIe 4.0 de Samsung, le plain 990, privilégie l'efficacité énergétique et le coût par rapport au débit maximum,Il est présenté comme le stockage le plus économe en énergie à ce jour avec jusqu'à 38% de meilleure efficacité énergétique que le 990 PROLes spécifications sont de 7 150 MB/s de lecture séquentielle / 6 450 MB/s d'écriture pour la variante 1 To et de 7 250 MB/s de lecture / 6 450 MB/s d'écriture pour le modèle 2 To; la performance aléatoire atteint 700K/1.1M IOPS (1 To et 850K/1.2 M IOPS (2 To)Il est disponible en 1 To (269 $) et 2 To (529 $).
Situé dans la famille 990 existante de Samsung, aux côtés des modèles PRO, EVO et EVO Plus, ce lecteur d'entrée de gamme utilise un contrôleur interne couplé à une architecture V-NAND non spécifiée et à une architecture HMB sans DRAM..Il comporte une garantie de trois ans avec 400TBW (1TB) / 800TBW (2TB), contre la couverture de cinq ans et les limites d'endurance plus élevées du 990 PRO.Sa lecture séquentielle correspond à la 990 EVO Plus mais est en deçà de la PROLes principaux points de vente incluent des écritures séquentielles plus de 50% plus rapides que le 990 EVO et une efficacité de lecture de 1 686 MB/s par watt sur la version de 2 To.Samsung réserve sa gamme Gen5 9100 PRO pour les acheteurs à la recherche de vitesses brutes de haut niveau, donc le 990 cible un segment de valeur distinct.
Les précédents SSD 980 sans DRAM de la marque de 2021 ont offert des performances médiocres, mais les chaînes d'approvisionnement serrées NAND et DRAM ont déplacé la demande du marché vers un stockage PCIe 4.0 économe en énergie et abordable.Samsung refuse de révéler les spécifications détaillées du NANDLa correspondance de l'endurance d'écriture annuelle avec le 990 PRO indique fortement un flash TLC optimisé pour le coût plutôt que QLC,Bien que l'ambiguïté intentionnelle autour des spécifications de matériel de base est inhabituelleLes tests ont utilisé un échantillon de pré-production de 2 To MZ-V9V2T0 avec le micrologiciel 0B2QLXL7 via des référentiels de fio, de charge LLM et de stockage direct GPU.
Spécifications de base
Le facteur de forme est le M.2 2280 standard à face unique sans évier thermique fourni, idéal pour les ordinateurs portables minces et les PC compacts dépendant du refroidissement de la carte mère.Le PCB héberge le contrôleur près du connecteur et toutes les puces NAND d'un côtéSamsung Magician 9.0 gère les mises à jour du micrologiciel, le suivi de l'état de santé, le diagnostic et le cryptage AES 256 bits; le fonctionnement du HMB ne nécessite aucune configuration manuelle.Puissance de lecture active atteint 4.0W (1TB) / 4.3W (2TB), puissance d'écriture active 3.7W / 3.8W, tandis que la consommation au ralenti tombe à 55mW ou 3mW en basse consommation.
Résultats de référence
Performance FIO synthétique
Le 2TB 990 a atteint 7177MB/s de lecture séquentielle, 6 070MB/s d'écriture séquentielle, 872K de lecture aléatoire IOPS et 1,08M d'écriture aléatoire IOPS, se classant près du bas de tous les disques PCIe 4/5 testés.Il perd 4% de lecture séquentielle, 15,7% d'écriture séquentielle, 37,7% de lecture aléatoire et 23% de débit d'écriture aléatoire pour le 990 PRO, tout en étant loin derrière les alternatives phares de la génération 5 telles que le SanDisk SN8100 de près de la moitié sur la plupart des mesures.
Épreuve de chargement LLM
Le chargement du modèle d'IA est la charge de travail la plus faible du lecteur. Il a enregistré 5,06 secondes pour DeepSeek R1 7B, 7,61 secondes pour Llama 3.2 11B Vision et 7,86 secondes pour DeepSeek R1 32B.le 990 PRO fonctionne presque identiquement ici; la mise à niveau vers le PRO produit des gains minimaux de vitesse de chargement LLM, seulement de petites améliorations de l'IO aléatoire et des écritures soutenues.
Graphique graphique de stockage direct (GDS)
Lisez les échelles de débit avec le nombre de fils: la taille du bloc 1M atteint un pic de 2,89 GiB/s à 64 fils, tandis que l'E/S du petit bloc 16K atteint un maximum de 0.82 GiB/s à fil unique avant de s'effondrer en cas de concurrence due à des frais généraux. La latence augmente considérablement avec plus de threads, jusqu'à 44,7 ms pour les blocs 1M à 128 threads.considérant que le débit d'écriture de 128K et de 16K reste stable indépendamment de la parallélisationLa latence d'écriture augmente plus rapidement que la latence de lecture dans toutes les tailles de blocs.
Conclusion
Le Samsung 990 n'est pas conçu pour des performances de référence, toujours derrière le 990 PRO à travers les tests de synthèse et atterrissant à côté de lui au bas du classement de charge LLM.Toute personne qui a besoin d'un débit maximal pour des charges de travail lourdes devrait opter pour le Samsung Gen5 9100 PRO.
Même ainsi, le moteur remplit une niche viable centrée sur l'efficacité énergétique et la valeur.Il offre plus de 50% d'écriture séquentielle plus rapide que l'ancien 990 EVO et correspond aux vitesses de lecture de l'EVO Plus avec une efficacité énergétique considérablement amélioréeLes chiffres d'endurance indiquent un flash TLC fiable, malgré les vagues révélations de NAND de Samsung.
Il convient aux utilisateurs qui n'ont pas besoin de vitesses Gen5 ou de l'IO aléatoire élevé de PRO, qui recherchent un stockage PCIe 4.0 stable et à faible consommation comme une mise à niveau des anciens modèles EVO.Puisque le PRO n'offre aucun avantage significatif de chargement d'inférence IA, les acheteurs n'ont qu'à choisir entre les deux en fonction des demandes d'écriture aléatoires et soutenues.donc sa proposition de valeur globale dépendra des prix de vente au détail futursBien qu'inadapté aux constructions axées sur les performances, le 990 remplit de manière compétente son rôle d'efficacité.
La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.
Sandy Yang, directeur de la stratégie mondiale
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