Micron a présenté un RDIMM DDR5 de 512 Go fonctionnant sur plusieurs plates-formes de serveur, qu'il appelle le premier module au monde à cette capacité, et affirme qu'AMD et Intel le valident tous deux pour leurs plates-formes de serveur de nouvelle génération. Le module est conçu pour des vitesses allant jusqu'à 9 200 MT/s et, dans un serveur double socket à 24 emplacements, il place 12 To de DDR5 derrière deux processeurs. La production en volume est prévue pour le second semestre 2027.

Comment Micron atteint 512 Go sur un seul module
Micron empile verticalement les puces DRAM à l'intérieur de chaque boîtier et les connecte avec des vias traversants en silicium (TSV), la même approche d'empilement de puces utilisée par HBM. Empiler davantage de puces par paquet double la capacité par emplacement sans modifier l'encombrement du module ou le nombre de DIMM du serveur, ce qui permet à un système à double socket de 24 emplacements d'atteindre 12 To.

« Micron continue de donner le ton en matière de technologie de mémoire, en proposant une nouvelle classe de mémoire serveur ultra-dense et hautes performances qui aide les clients à conserver des ensembles de données plus volumineux plus proches des moteurs de calcul qui en ont besoin », a déclaré Raj Narasimhan, vice-président senior et directeur général de l'unité commerciale Cloud Memory chez Micron. « Un RDIMM de 512 Go permet des serveurs multi-téraoctets, prenant en charge des charges de travail d'IA et de bases de données plus importantes, une plus grande densité de virtualisation et une efficacité énergétique améliorée, le tout dans les limites des empreintes de serveur existantes.

La note de 9 200 MT/s est l'autre chiffre notable, bien au-delà du plafond DDR5-6400 pour les RDIMM standard sur les plates-formes Xeon 6 actuelles, et la version de Micron relie le module aux plates-formes de nouvelle génération des deux fournisseurs de processeurs, de sorte que la vitesse et la capacité semblent arriver avec le cycle de serveur 2027. Les RDIMM Micron ont équipé de nombreux systèmes Xeon 6 et EPYC dans notre laboratoire, et leurs MRDIMM étaient derrière le record de référence en matière de risque financier de HPE établi plus tôt cette année avec les Intel Xeon 6980P et les MRDIMM Micron.

Un module de 512 Go contre quatre modules de 128 Go
L'affirmation d'efficacité de Micron est qu'un seul RDIMM de 512 Go réduit la consommation d'énergie de plus de 60 % par rapport à quatre RDIMM de 128 Go de même capacité totale. 16W pour le module de 512 Go contre 44,2W pour les quatre modules de 128 Go réunis, soit une réduction de 63,8%, soit environ 31 mW par gigaoctet contre 86 mW. La comparaison suppose un serveur disposant de quatre emplacements libres à dépenser pour l'alternative ; le cas le plus courant est celui d'un serveur qui manque d'emplacements, où le module de 512 Go est le seul moyen d'ajouter de la capacité. L’argument de la densité est important dans de nombreux cas d’utilisation, et c’est un argument similaire que nous avons récemment avancé concernant la solution de stockage et de mémoire haute densité de Micron.

En ce qui concerne les performances, Micron cite un débit jusqu'à 1,4 fois plus élevé pour les charges de travail liées à la mémoire telles que l'analyse de données basée sur Spark SVM par rapport aux configurations DDR5 de 256 Go, et affirme que le module améliore le débit et la concurrence pour les bases de données et les plates-formes de mise en cache gourmandes en mémoire, notamment RocksDB et Redis.

AMD, Intel et une première voix client
Les deux fournisseurs de processeurs ont fourni des déclarations de validation. « Notre étroite collaboration technique avec Micron rassemble l'innovation en matière de calcul et de mémoire pour aider les clients à tirer pleinement parti de la valeur des plates-formes AMD », a déclaré Amit Goel, vice-président d'entreprise, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering chez AMD. Karin Eibschitz Segal, directrice générale de l'ingénierie des plates-formes et des systèmes au sein du groupe Data Center d'Intel, a déclaré qu'Intel « travaille en étroite collaboration avec Micron pour valider son RDIMM DDR5 de 512 Go et contribuer à permettre aux futures plates-formes de serveurs conçues pour répondre aux demandes croissantes des charges de travail des centres de données de nouvelle génération ».

Le communiqué contient également une citation client de Darrin Alves, directeur de l'information pour les plates-formes d'infrastructure chez JPMorganChase, qui a déclaré qu'une mémoire de plus grande capacité « aidera les entreprises à prendre en charge des charges de travail en mémoire plus importantes, à améliorer l'utilisation des ressources et à accroître la flexibilité nécessaire pour faire évoluer les environnements informatiques modernes ». Les bases de données en mémoire, la virtualisation à grande échelle et l'inférence côté CPU pour les LLM et les charges de travail agents sont les cas d'utilisation des noms Micron, qui dépendent tous de la quantité de données qu'un serveur peut contenir dans la mémoire principale avant de se répandre dans le stockage.

Timing
L’objectif de production du second semestre 2027 prévoit la sortie du RDIMM de 512 Go par an ou plus. En août, Micron et SK Hynix ont annoncé des engagements de plusieurs milliards de dollars pour l'expansion de la capacité de mémoire, même si une petite partie de cette nouvelle capacité sera disponible avant 2028, de sorte que le module arrive dans la même fenêtre que la production de tranches sur laquelle il s'appuiera.

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